Infineon SIPMOS Type N-Channel MOSFET, 110 mA, 240 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- RS Stock No.:
- 827-0070
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSS131H6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 250 ชิ้น)*
THB1,149.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,230.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- เพิ่มอีก 500 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
- เพิ่มอีก 3,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 05 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 250 - 500 | THB4.598 | THB1,149.50 |
| 750 - 1250 | THB4.483 | THB1,120.75 |
| 1500 + | THB4.414 | THB1,103.50 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 827-0070
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSS131H6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 110mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 240V | |
| Series | SIPMOS | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 20Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 360mW | |
| Forward Voltage Vf | 0.81V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 2.1nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 2.9mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 1.3 mm | |
| Height | 1mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Distrelec Product Id | 304-44-424 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 110mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 240V | ||
Series SIPMOS | ||
Package Type SOT-23 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 20Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 360mW | ||
Forward Voltage Vf 0.81V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 2.1nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 2.9mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 1.3 mm | ||
Height 1mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
Distrelec Product Id 304-44-424 | ||
Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFETs
MOSFET Transistors, Infineon
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon SIPMOS Type N-Channel MOSFET 240 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS131H6327XTSA1
- Infineon SIPMOS Type N-Channel MOSFET 240 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 BSP89H6327XTSA1
- Infineon SIPMOS Type N-Channel MOSFET 240 V Enhancement, 3-Pin SOT-89 BSS87H6327FTSA1
- Infineon SIPMOS Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Infineon SIPMOS Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Infineon SIPMOS Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Infineon SIPMOS Type N-Channel MOSFET 240 V Depletion, 4-Pin SOT-223 BSP129H6327XTSA1
- Infineon SIPMOS Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS138NH6433XTMA1