Infineon SIPMOS N-Channel MOSFET, 230 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS138NH6327XTSA2

RS Stock No.:: 178-7472
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSS138NH6327XTSA2
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon SIPMOS N-Channel MOSFET, 230 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS138NH6327XTSA2

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 6000 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB390.00

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB6,480.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB6,930.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

18,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 01 เมษายน 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*	การประหยัด
3000 - 3000	THB2.16	THB6,480.00	-
6000 - 9000	THB2.095	THB6,285.00	THB390.00
12000 +	THB2.032	THB6,096.00	THB1,536.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 178-7472
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSS138NH6327XTSA2
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	230mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	SOT-23
	Series	SIPMOS
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	6Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	360mW
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	1nC
	Forward Voltage Vf	830mV
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-20V, +20V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	1.3mm
	Standards/Approvals	No
	Height	1mm
	Length	2.9mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 230mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type SOT-23
	Series SIPMOS
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 6Ω
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 360mW
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 1nC
	Forward Voltage Vf 830mV
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 1.3mm
	Standards/Approvals No
	Height 1mm
	Length 2.9mm
	Automotive Standard AEC-Q101

BSS138N SIPMOS Small Signal Transistor Datasheet

Infineon SIPMOS Series MOSFET, 60V Maximum Drain Source Voltage, 3.5Ω Maximum Drain Source Resistance - BSS138NH6433XTMA1

This MOSFET is a compact N-channel transistor designed for low-current switching in surface-mount applications. It operates across a wide temperature range, making it suitable for environments that demand extended thermal tolerance. The device is built for use where controlled enhancement-mode switching and modest power handling are required.

Features and Benefits:

• 60V drain voltage enables use in intermediate-voltage systems
• 3.5Ω low Rds(on) reduces conduction losses in small-signal circuits
• 230mA continuous drain current supports low-power switching loads
• 1nC typical gate charge allows fast gate transitions with minimal drive energy
• 360mW power dissipation helps manage thermal loading in constrained designs
• 20V maximum gate rating protects against excessive drive voltages

Applications

• Suitable for automotive sensor signal switching
• Ideal for handheld instrument power management
• Used with control logic in telematics modules
• Can be used for load switching in battery-operated devices
• Suitable for general-purpose small-signal switching on PCBs

What mounting style is required for this component?

It uses a SOT-23 package intended for surface-mount placement on printed circuit assemblies.

How does it cope with elevated operating temperatures?

The device is specified to function from -55°C up to 150°C, permitting use in high-temperature environments with appropriate thermal design.

What gate drive considerations should be observed?

Keep gate voltage within ±20V to avoid overstressing the gate oxide and ensure gate-drive circuits supply sufficient current for the 1nC typical gate charge.

Is this device suitable for high-current power stages?

It is intended for small-signal and low-current switching

the 230mA continuous drain current and 3.5Ω Rds(on) limit its suitability for high-current power stages.