Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET, 540 mA, 55 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- RS Stock No.:
- 827-0027
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSS670S2LH6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 750 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 2%
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 250 ชิ้น)*
THB1,029.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,101.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 10,250 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 250 - 500 | THB4.118 | THB1,029.50 | - |
| 750 - 1250 | THB4.015 | THB1,003.75 | 2% |
| 1500 + | THB3.954 | THB988.50 | 3% |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 827-0027
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSS670S2LH6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 540mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 55V | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Series | OptiMOS | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 825mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -20V, +20V | |
| Forward Voltage Vf | 800mV | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 360mW | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 1.7nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 1.3mm | |
| Height | 1mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 2.9mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 540mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 55V | ||
Package Type SOT-23 | ||
Series OptiMOS | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 825mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V | ||
Forward Voltage Vf 800mV | ||
Maximum Power Dissipation Pd 360mW | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 1.7nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 1.3mm | ||
Height 1mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 2.9mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS Series MOSFET, 55V Drain Source Voltage, 540mA Continuous Drain Current - BSS670S2LH6327XTSA1
Features and Benefits:
• 825mΩ low RDS(on) minimises conduction losses in low-current paths
• 540mA continuous drain current supports steady-state loads
• 1.7nC typical gate charge allows efficient high-speed switching
• 360mW power dissipation suits modest thermal budgets
• -55°C to 150°C operating range accommodates wide-temperature environments
Applications
• Ideal for DC load switching in compact modules
• Used with battery-management auxiliary circuits
• Can be used for gate drivers in low-power converters
• Used for signal-level switching on mixed-signal boards
What mounting considerations apply to small packages?
How does gate drive affect switching performance?
What is the devices behaviour under continuous load?
Is this component suitable for automotive qualification needs?
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS670S2LH6327XTSA1
- Infineon BSS N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Infineon BSS N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS670S2LH6433XTMA1
- Nexperia BSH111BK N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSH111BKR
- Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS123NH6327XTSA1
- Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS123NH6433XTMA1
- Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS119NH6327XTSA1
