Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 540 mA, 55 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- RS Stock No.:
- 827-0027
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSS670S2LH6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 250 ชิ้น)*
THB1,029.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,101.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 10,250 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 24 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 250 - 500 | THB4.118 | THB1,029.50 |
| 750 - 1250 | THB4.015 | THB1,003.75 |
| 1500 + | THB3.954 | THB988.50 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 827-0027
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSS670S2LH6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 540mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 55V | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Series | OptiMOS | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 825mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 360mW | |
| Forward Voltage Vf | 0.8V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 1.7nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 1mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 2.9mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 540mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 55V | ||
Package Type SOT-23 | ||
Series OptiMOS | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 825mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 360mW | ||
Forward Voltage Vf 0.8V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 1.7nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 1mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 2.9mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS Series MOSFET, 55V Drain Source Voltage, 540mA Continuous Drain Current - BSS670S2LH6327XTSA1
This MOSFET is a small-signal N-channel transistor designed for surface-mounted switching in compact electronic systems. It is intended for applications that require controlled enhancement-mode switching with moderate voltage and current ratings, and is qualified for automotive environments.
Features and Benefits:
• 55V drain tolerance enables higher-voltage switching circuits
• 825mΩ low RDS(on) minimises conduction losses in low-current paths
• 540mA continuous drain current supports steady-state loads
• 1.7nC typical gate charge allows efficient high-speed switching
• 360mW power dissipation suits modest thermal budgets
• -55°C to 150°C operating range accommodates wide-temperature environments
• 825mΩ low RDS(on) minimises conduction losses in low-current paths
• 540mA continuous drain current supports steady-state loads
• 1.7nC typical gate charge allows efficient high-speed switching
• 360mW power dissipation suits modest thermal budgets
• -55°C to 150°C operating range accommodates wide-temperature environments
Applications
• Suitable for automotive sensor-interface switching
• Ideal for DC load switching in compact modules
• Used with battery-management auxiliary circuits
• Can be used for gate drivers in low-power converters
• Used for signal-level switching on mixed-signal boards
• Ideal for DC load switching in compact modules
• Used with battery-management auxiliary circuits
• Can be used for gate drivers in low-power converters
• Used for signal-level switching on mixed-signal boards
What mounting considerations apply to small packages?
The device is supplied in a three-pin SOT-23 package intended for surface mounting, so land-pattern thermal relief and solder fillets should be planned to manage its 360mW dissipation.
How does gate drive affect switching performance?
Driving the gate up to 20V increases conduction margin, while the 1.7nC gate charge determines required driver current for desired rise/fall times.
What is the devices behaviour under continuous load?
It can carry up to 540mA continuously, provided thermal constraints are respected and ambient conditions allow sufficient heat transfer.
Is this component suitable for automotive qualification needs?
It meets AEC‑Q101 requirements, making it appropriate for automotive electronic applications that require that standard.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS670S2LH6327XTSA1
- Nexperia BSH111BK Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSH111BKR
- Nexperia BSH111BK Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 2N7002H6327XTSA2
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS123NH6433XTMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS123NH6327XTSA1
