Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 190 mA, 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- RS Stock No.:
- 827-0011
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSS123NH6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 500 ชิ้น)*
THB1,539.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,647.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- เพิ่มอีก 10,500 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 30 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 500 - 500 | THB3.079 | THB1,539.50 |
| 1000 - 1000 | THB3.017 | THB1,508.50 |
| 1500 + | THB2.957 | THB1,478.50 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 827-0011
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSS123NH6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 190mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Series | OptiMOS | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 10Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | 0.8V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 0.6nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 500mW | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 2.9mm | |
| Width | 1.3 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Distrelec Product Id | 304-44-422 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 190mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type SOT-23 | ||
Series OptiMOS | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 10Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf 0.8V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 0.6nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 500mW | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 2.9mm | ||
Width 1.3 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
Distrelec Product Id 304-44-422 | ||
สถานะRoHS: ไม่สามารถใช้ได้
Infineon OptiMOS™ Small Signal MOSFETs
MOSFET Transistors, Infineon
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS123NH6327XTSA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS123NH6433XTMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS119NH6327XTSA1
- Nexperia BST82 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement215
- Nexperia BST82 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin SOT-23