Nexperia BSH111BK N-Channel MOSFET, 335 mA, 55 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSH111BKR

RS Stock No.:: 170-4850
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSH111BKR
ผู้ผลิต:: Nexperia

Nexperia BSH111BK N-Channel MOSFET, 335 mA, 55 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSH111BKR

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB6,600.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB7,050.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 04 ตุลาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
3000 - 3000	THB2.20	THB6,600.00
6000 - 9000	THB2.134	THB6,402.00
12000 +	THB2.07	THB6,210.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือก

สินค้านี้ไม่มีจำหน่ายในขณะนี้ ลองดูสินค้าอื่นที่เราแนะนำ

onsemi 2N7002K N-Channel MOSFET, 380 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 2N7002KT1G

RS Stock No.: 121-6300

Each (On a Reel of 3000)

THB3,450.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB3,691.50

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

RS Stock No.:: 170-4850
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSH111BKR
ผู้ผลิต:: Nexperia

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Nexperia
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	335mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	55V
	Package Type	SOT-23
	Series	BSH111BK
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	8.1Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	0.5nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	1.45W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	10V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	3mm
	Width	1.4mm
	Standards/Approvals	No
	Height	1mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Nexperia
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 335mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds 55V
	Package Type SOT-23
	Series BSH111BK
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 8.1Ω
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 0.5nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 1.45W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 10V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 3mm
	Width 1.4mm
	Standards/Approvals No
	Height 1mm
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: CN

Logic- and Standard Level MOSFETs in a variety of packages. Sample our robust and easy-to-use MOSFETs in the 40 V to 60 V range. They are perfect for space- and power-critical applications, delivering excellent switching performance and class-leading safe operating area (SOA).

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology

Low threshold voltage

Very fast switching

Trench MOSFET technology

ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 3 kV HBM

Relay driver

High-speed line driver

Low-side loadswitch

Switching circuits

Nexperia BSH111BK N-Channel MOSFET, 335 mA, 55 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSH111BKR

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ตัวเลือกราคาสำหรับซื้อจำนวนมาก

ตัวเลือก

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง