Nexperia BSH111BK Type N-Channel MOSFET, 335 mA, 55 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- RS Stock No.:
- 170-4850
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSH111BKR
- ผู้ผลิต:
- Nexperia
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB5,706.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB6,105.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 3,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 20 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB1.902 | THB5,706.00 |
| 6000 - 9000 | THB1.845 | THB5,535.00 |
| 12000 + | THB1.789 | THB5,367.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 170-4850
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSH111BKR
- ผู้ผลิต:
- Nexperia
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 335mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 55V | |
| Series | BSH111BK | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 8.1Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 0.5nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 10 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.45W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 3mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1mm | |
| Width | 1.4 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 335mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 55V | ||
Series BSH111BK | ||
Package Type SOT-23 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 8.1Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 0.5nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 10 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.45W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 3mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1mm | ||
Width 1.4 mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Logic- and Standard Level MOSFETs in a variety of packages. Sample our robust and easy-to-use MOSFETs in the 40 V to 60 V range. They are perfect for space- and power-critical applications, delivering excellent switching performance and class-leading safe operating area (SOA).
N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology
Low threshold voltage
Very fast switching
Trench MOSFET technology
ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 3 kV HBM
Relay driver
High-speed line driver
Low-side loadswitch
Switching circuits
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Nexperia BSH111BK Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSH111BKR
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS670S2LH6327XTSA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Infineon BSS Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Infineon BSS Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS670S2LH6433XTMA1
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Nexperia BSS138BK Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Nexperia NX3008NBK Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23