Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 190 mA, 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS119NH6327XTSA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB8,643.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB9,249.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 3,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 24 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
3000 - 3000THB2.881THB8,643.00
6000 - 9000THB2.794THB8,382.00
12000 +THB2.711THB8,133.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
165-5873
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
BSS119NH6327XTSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

190mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

SOT-23

Series

OptiMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

10Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

500mW

Forward Voltage Vf

0.8V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

0.6nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Height

1mm

Length

2.9mm

Automotive Standard

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN

Infineon OptiMOS Series MOSFET, 100V Maximum Drain Source Voltage, 190mA Maximum Continuous Drain Current - BSS119NH6327XTSA1


This MOSFET is a surface-mount N-channel transistor designed for switching and amplification tasks in compact electronic assemblies. It operates across a wide temperature span suitable for demanding environments and is intended for use where low power dissipation and modest current capability are acceptable. The device is supplied in a three-pin SOT-23 package optimised for automated PCB assembly.

Features and Benefits:


• 100V drain-to-source rating enables high-voltage switching capability
• 10Ω maximum Rds provides low conduction losses for small loads
• 500mW maximum power dissipation manages thermal load in compact circuits
• 190mA continuous drain current supports low-current control applications
• 0.6nC typical gate charge allows faster switching with minimal drive energy
• ±20V gate tolerance accommodates a broad gate-drive range

Applications


• Suitable for automotive sensor signal switching and control
• Ideal for general-purpose low-current power management
• Used with battery-management monitoring circuits in vehicles
• Can be used for small-signal high-voltage level shifting
• Used for gate-stage drivers in low-power converter designs

What mounting method is required for PCB assembly?


It is intended for surface mounting in a three-terminal SOT-23 footprint compatible with standard pick-and-place processes.

How does it behave across temperature extremes?


It is rated to operate from -55°C up to 150°C, maintaining functionality across automotive-grade thermal ranges.

What gate-drive considerations should be made?


The device accepts up to ±20V on the gate and has a low typical gate charge of 0.6nC, reducing driver energy requirements and permitting smaller drive circuitry.

What mechanical envelope should designers allow for?


The package measures 2.9 x 1.3 x 1mm, enabling dense PCB layouts while providing the necessary creepage for its voltage class.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง