Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET, 190 mA, 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS119NH6327XTSA1

RS Stock No.:: 165-5873
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSS119NH6327XTSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET, 190 mA, 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS119NH6327XTSA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 6000 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 3%

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB8,643.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB9,249.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

3,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*	การประหยัด
3000 - 3000	THB2.881	THB8,643.00	-
6000 - 9000	THB2.794	THB8,382.00	3%
12000 +	THB2.711	THB8,133.00	5%

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 165-5873
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSS119NH6327XTSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	190mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Package Type	SOT-23
	Series	OptiMOS
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	10Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	800mV
	Maximum Power Dissipation Pd	500mW
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	0.6nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-20V, +20V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	2.9mm
	Width	1.3mm
	Height	1mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 190mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Package Type SOT-23
	Series OptiMOS
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 10Ω
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 800mV
	Maximum Power Dissipation Pd 500mW
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 0.6nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 2.9mm
	Width 1.3mm
	Height 1mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard AEC-Q101

COO (Country of Origin):: CN

Infineon OptiMOS Series MOSFET, 100V Maximum Drain Source Voltage, 190mA Maximum Continuous Drain Current - BSS119NH6327XTSA1

This MOSFET is a surface-mount N-channel transistor designed for switching and amplification tasks in compact electronic assemblies. It operates across a wide temperature span suitable for demanding environments and is intended for use where low power dissipation and modest current capability are acceptable. The device is supplied in a three-pin SOT-23 package optimised for automated PCB assembly.

Features and Benefits:

• 100V drain-to-source rating enables high-voltage switching capability
• 10Ω maximum Rds provides low conduction losses for small loads
• 500mW maximum power dissipation manages thermal load in compact circuits
• 190mA continuous drain current supports low-current control applications
• 0.6nC typical gate charge allows faster switching with minimal drive energy
• ±20V gate tolerance accommodates a broad gate-drive range

Applications

• Suitable for automotive sensor signal switching and control
• Ideal for general-purpose low-current power management
• Used with battery-management monitoring circuits in vehicles
• Can be used for small-signal high-voltage level shifting
• Used for gate-stage drivers in low-power converter designs

What mounting method is required for PCB assembly?

It is intended for surface mounting in a three-terminal SOT-23 footprint compatible with standard pick-and-place processes.

How does it behave across temperature extremes?

It is rated to operate from -55°C up to 150°C, maintaining functionality across automotive-grade thermal ranges.

What gate-drive considerations should be made?

The device accepts up to ±20V on the gate and has a low typical gate charge of 0.6nC, reducing driver energy requirements and permitting smaller drive circuitry.

What mechanical envelope should designers allow for?

The package measures 2.9 x 1.3 x 1mm, enabling dense PCB layouts while providing the necessary creepage for its voltage class.