Infineon SIPMOS Type N-Channel MOSFET, 230 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 500 ชิ้น)*

THB1,549.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB1,657.50

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • 154,500 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 28 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
500 - 500THB3.098THB1,549.00
1000 - 1000THB3.021THB1,510.50
1500 +THB2.974THB1,487.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
826-9954
Distrelec หมายเลขบทความ:
304-44-425
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
BSS138NH6327XTSA2
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

230mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

SIPMOS

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

6Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

360mW

Forward Voltage Vf

0.83V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

1nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1mm

Standards/Approvals

No

Length

2.9mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Infineon SIPMOS Series MOSFET, 60V Maximum Drain Source Voltage, 3.5Ω Maximum Drain Source Resistance - BSS138NH6433XTMA1


This MOSFET is a compact N-channel transistor designed for low-current switching in surface-mount applications. It operates across a wide temperature range, making it suitable for environments that demand extended thermal tolerance. The device is built for use where controlled enhancement-mode switching and modest power handling are required.

Features and Benefits:


• 60V drain voltage enables use in intermediate-voltage systems
• 3.5Ω low Rds(on) reduces conduction losses in small-signal circuits
• 230mA continuous drain current supports low-power switching loads
• 1nC typical gate charge allows fast gate transitions with minimal drive energy
• 360mW power dissipation helps manage thermal loading in constrained designs
• 20V maximum gate rating protects against excessive drive voltages

Applications


• Suitable for automotive sensor signal switching
• Ideal for handheld instrument power management
• Used with control logic in telematics modules
• Can be used for load switching in battery-operated devices
• Suitable for general-purpose small-signal switching on PCBs

What mounting style is required for this component?


It uses a SOT-23 package intended for surface-mount placement on printed circuit assemblies.

How does it cope with elevated operating temperatures?


The device is specified to function from -55°C up to 150°C, permitting use in high-temperature environments with appropriate thermal design.

What gate drive considerations should be observed?


Keep gate voltage within ±20V to avoid overstressing the gate oxide and ensure gate-drive circuits supply sufficient current for the 1nC typical gate charge.

Is this device suitable for high-current power stages?


It is intended for small-signal and low-current switching

the 230mA continuous drain current and 3.5Ω Rds(on) limit its suitability for high-current power stages.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง