Infineon SIPMOS Type N-Channel MOSFET, 120 mA, 600 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 BSP125H6327XTSA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
ขออภัย เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกเมื่อใด
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
826-9276
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
BSP125H6327XTSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

120mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

SIPMOS

Package Type

SOT-223

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

45Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

0.8V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

4.4nC

Maximum Power Dissipation Pd

1.8W

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

3.5 mm

Height

1.5mm

Length

6.5mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

Distrelec Product Id

304-44-411

Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFETs


MOSFET Transistors, Infineon


Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง