Infineon SIPMOS Type N-Channel MOSFET, 170 mA, 400 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 BSP324H6327XTSA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 50 ชิ้น)*

THB999.75

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB1,069.75

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 26 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
50 - 200THB19.995THB999.75
250 - 450THB19.495THB974.75
500 +THB19.195THB959.75

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
826-9257
Distrelec หมายเลขบทความ:
304-44-416
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
BSP324H6327XTSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

170mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

400V

Package Type

SOT-223

Series

SIPMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

25Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

4.54nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

0.8V

Maximum Power Dissipation Pd

1.8W

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

6.5mm

Standards/Approvals

No

Height

1.6mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Infineon SIPMOS Series MOSFET, 400V Maximum Drain Source Voltage, 1.8W Maximum Power Dissipation - BSP324H6327XTSA1


This MOSFET is a high-voltage N-channel transistor designed for surface-mount power switching in demanding environments. It serves as a switching or control element in circuits that require an enhancement-mode device capable of handling substantial drain-source voltages and automotive-level qualification. The device is presented in a compact SOT-223 package suitable for board-mounted applications where thermal and electrical performance must be balanced.

Features and Benefits:


• 400V drain-source rating enables high-voltage switching applications
• 25Ω maximum Rds(on) reduces conduction losses in low-current circuits
• 170mA continuous drain current supports small-signal power tasks
• 1.8W maximum power dissipation manages moderate thermal loads
• 4.54nC typical gate charge allows faster gate transitions with less drive energy
• 0.8V forward voltage improves diode drop efficiency in switching events

Applications


• Suitable for auxiliary circuits in automotive electronics
• Ideal for high-voltage control in power-supply snubber networks
• Used with gate drivers for low-current switching stages
• Can be used for load protection in sensing modules
• Appropriate for surface-mount assemblies in compact power designs

What temperature range can it operate across?


It functions across a wide ambient span from -55°C up to 150°C for use in thermally varied installations.

How many pins and what mounting style are offered?


The device comes with four pins and is intended for surface mounting on printed circuit boards.

What gate voltage limits must be observed during design?


Gate drive must be kept within ±20V to avoid exceeding the maximum gate-source rating.

What package footprint and external sizing should designers expect?


The transistor is supplied in a SOT-223 package with overall dimensions of 6.5 x 3.5 x 1.6mm for PCB layout planning.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง