Microchip DN2540 Type N-Channel MOSFET, 170 mA, 400 V Depletion, 3-Pin TO-243 DN2540N8-G

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB339.34

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB363.09

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 1,580 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
10 - 490THB33.934THB339.34
500 - 990THB33.085THB330.85
1000 +THB32.576THB325.76

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
177-3294
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
DN2540N8-G
ผู้ผลิต:
Microchip
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Microchip

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

170mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

400V

Series

DN2540

Package Type

TO-243

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

25Ω

Channel Mode

Depletion

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

1.6W

Forward Voltage Vf

1.8V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

4.6mm

Standards/Approvals

No

Height

1.6mm

Width

2.6 mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
TW
DN2540 is a low threshold depletion mode (normally-on) transistor utilizing an advanced vertical DMOS structure and well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. Vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.

Additional Features:

High input impedance

Low input capacitance

Fast switching speeds

Low on-resistance

Free from secondary breakdown Low input and output leakage

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง