Infineon Isolated HEXFET 2 Type N-Channel MOSFET, 4.9 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC IRF7303TRPBF
- RS Stock No.:
- 826-8841
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF7303TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*
THB394.12
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB421.70
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- เพิ่มอีก 120 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
- เพิ่มอีก 1,860 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 05 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 20 - 980 | THB19.706 | THB394.12 |
| 1000 - 1980 | THB19.213 | THB384.26 |
| 2000 + | THB18.918 | THB378.36 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 826-8841
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF7303TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 4.9A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | SOIC | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 80mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 16.7nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Transistor Configuration | Isolated | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1.5mm | |
| Width | 4 mm | |
| Length | 5mm | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 4.9A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type SOIC | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 80mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 16.7nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Transistor Configuration Isolated | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1.5mm | ||
Width 4 mm | ||
Length 5mm | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard No | ||
Infineon HEXFET Series MOSFET, 4.9A Maximum Continuous Drain Current, 2W Maximum Power Dissipation - IRF7303TRPBF
Features & Benefits
Applications
What is the maximum gate-source voltage for this device?
How does the Rds(on) Value affect efficiency?
Can it operate at extreme temperatures?
What type of circuit boards is this compatible with?
How should one approach the installation of this component?
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon Isolated HEXFET 2 Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- Infineon Isolated HEXFET 2 Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- Infineon Isolated HEXFET 2 Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC IRF7316TRPBF
- Infineon Isolated HEXFET 2 Type P 3.5 A 8-Pin SOIC
- Infineon Isolated HEXFET 2 Type N-Channel MOSFET 50 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- Infineon Isolated HEXFET 2 Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- Infineon Isolated HEXFET 2 Type P 3.5 A 8-Pin SOIC
- Infineon Isolated HEXFET 2 Type N 4 A 8-Pin SOIC
