Infineon Isolated HEXFET 2 Type N-Channel MOSFET, 4.9 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC IRF7303TRPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*

THB394.12

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB421.70

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 120 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
  • เพิ่มอีก 1,860 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 05 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
20 - 980THB19.706THB394.12
1000 - 1980THB19.213THB384.26
2000 +THB18.918THB378.36

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
826-8841
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRF7303TRPBF
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

4.9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

HEXFET

Package Type

SOIC

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

80mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

2W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

16.7nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Transistor Configuration

Isolated

Standards/Approvals

No

Height

1.5mm

Width

4 mm

Length

5mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

Infineon HEXFET Series MOSFET, 4.9A Maximum Continuous Drain Current, 2W Maximum Power Dissipation - IRF7303TRPBF


This N-channel MOSFET is designed for efficient power management in various electronic applications. With a maximum continuous drain current of 4.9A and a drain-source voltage of 30V, it delivers high performance in different environments. Its surface mount capability makes it suitable for Compact circuit designs where space efficiency and thermal performance are important. This device demonstrates reliability and effectiveness in automation and electronics.

Features & Benefits


• Enhanced efficiency with a low Rds(on) of 80 mΩ

• High power dissipation capability with a maximum of 2W

• Dual-channel integration for increased functionality in designs

• Robust thermal operation up to +150°C for versatile applications

• Optimised for enhancement mode operation to improve energy management

• Compact SOIC package facilitates easy integration into modern PCBs

Applications


• Used in power supply circuits for voltage regulation

• Employed in motor control systems for efficient operation

• Suitable for lighting requiring robust switching

• Integrated into consumer electronics for improved power efficiency

• Ideal for automotive systems that require dependable performance

What is the maximum gate-source voltage for this device?


The maximum gate-source voltage is ±20V, ensuring compatibility with various control circuits.

How does the Rds(on) Value affect efficiency?


A lower Rds(on) reduces power losses during operation, enhancing overall efficiency in applications.

Can it operate at extreme temperatures?


Yes, it operates within a temperature range of -55°C to +150°C, which is suitable for harsh environments.

What type of circuit boards is this compatible with?


It is designed for surface mount technology (SMT) circuit boards, allowing for efficient space utilisation.

How should one approach the installation of this component?


Care should be taken to use appropriate soldering techniques to avoid heat damage and ensure a secure fit on the PCB.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง