Infineon Isolated HEXFET 2 Type P-Channel MOSFET, 4.9 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC

RS Stock No.:: 165-5939
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF7316TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon Isolated HEXFET 2 Type P-Channel MOSFET, 4.9 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 4000 ชิ้น)*

THB58,788.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB62,904.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 16 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
4000 - 4000	THB14.697	THB58,788.00
8000 - 12000	THB14.256	THB57,024.00
16000 +	THB13.828	THB55,312.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 165-5939
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF7316TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	4.9A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Package Type	SOIC
	Series	HEXFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	98mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	23nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	2W
	Forward Voltage Vf	-0.78V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Transistor Configuration	Isolated
	Height	1.5mm
	Length	5mm
	Standards/Approvals	No
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 4.9A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Package Type SOIC
	Series HEXFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 98mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 23nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 2W
	Forward Voltage Vf -0.78V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Transistor Configuration Isolated
	Height 1.5mm
	Length 5mm
	Standards/Approvals No
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard No

P-Channel Power MOSFET 30V, Infineon

Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range Benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Infineon Isolated HEXFET 2 Type P-Channel MOSFET, 4.9 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

P-Channel Power MOSFET 30V, Infineon

MOSFET Transistors, Infineon

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง