Infineon Isolated HEXFET 2 Type N, Type P-Channel MOSFET, 4 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC

RS Stock No.:: 168-7929
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF7309TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon Isolated HEXFET 2 Type N, Type P-Channel MOSFET, 4 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 4000 ชิ้น)*

THB42,688.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB45,676.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

4,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
4000 - 4000	THB10.672	THB42,688.00
8000 - 12000	THB10.352	THB41,408.00
16000 +	THB10.041	THB40,164.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 168-7929
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF7309TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N, Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Series	HEXFET
	Package Type	SOIC
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	80mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	16.7nC
	Forward Voltage Vf	1V
	Maximum Power Dissipation Pd	1.4W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Transistor Configuration	Isolated
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	5mm
	Standards/Approvals	No
	Width	4 mm
	Height	1.5mm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N, Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id 4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Series HEXFET
	Package Type SOIC
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 80mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 16.7nC
	Forward Voltage Vf 1V
	Maximum Power Dissipation Pd 1.4W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Transistor Configuration Isolated
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 5mm
	Standards/Approvals No
	Width 4 mm
	Height 1.5mm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: PH

Dual N/P-Channel Power MOSFET, Infineon

Infineon’s dual power MOSFETs integrate two HEXFET® devices to provide space-saving, cost-effective switching solutions in high component density designs where board space is at a premium. A variety of package options is available and designers can choose the Dual N/P-channel configuration.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Infineon Isolated HEXFET 2 Type N, Type P-Channel MOSFET, 4 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

Dual N/P-Channel Power MOSFET, Infineon

MOSFET Transistors, Infineon

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง