Vishay Si4178DY Type N-Channel MOSFET, 12 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4178DY-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*

THB345.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB369.20

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 1,680 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
20 - 620THB17.25THB345.00
640 - 1240THB16.819THB336.38
1260 +THB16.56THB331.20

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
812-3205
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SI4178DY-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

12A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

SOIC

Series

Si4178DY

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

33mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

5W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

7.5nC

Forward Voltage Vf

0.85V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

5mm

Height

1.55mm

Width

4mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN

Vishay Si4178DY Series MOSFET, 30V Maximum Drain Source Voltage, 12A Maximum Continuous Drain Current - SI4178DY-T1-GE3


This MOSFET is a surface-mount N-channel enhancement device designed for power switching and management in compact electronic systems. It offers moderate voltage handling and high continuous current capability, suited to applications where efficient high-current switching and thermal endurance are required. The component complies with RoHS and is intended for board-level mounting in industry and commercial designs.

Features and Benefits:


• 30V drain rating enables medium-voltage switching applications
• 12A continuous current supports high-current load control
• 33mΩ Rds(on) reduces conduction losses in power paths
• 7.5nC typical gate charge allows fast gate transitions
• 5W power dissipation helps manage thermal load in small packages

Applications


• Suitable for DC-DC converter output stages
• Ideal for battery management and power distribution
• Used with motor drivers for compact actuators
• Can be used for load switching in telecom equipment

What gate voltage limitations must designers observe?


The device accepts up to 25V between gate and source, so gate drivers must remain within this limit to avoid gate-oxide stress.

How does thermal performance influence PCB layout decisions?


With a 5W dissipation rating, designers should provide adequate copper area and thermal vias beneath the SOIC footprint to improve heat-spreading and maintain junction temperature within limits.

What ambient temperature range can it operate within?


It functions reliably from -55°C to 150°C, which informs selection for applications exposed to wide thermal extremes.

What package and mounting considerations affect assembly?


The part is supplied in an SOIC-8 surface-mount package with an overall profile height of 1.55mm, so stencil design and solder-paste volume must be tuned for consistent solder joints.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง