Vishay Si4178DY Type N-Channel MOSFET, 12 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4178DY-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*

THB217.32

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB232.54

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 1,720 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
20 - 620THB10.866THB217.32
640 - 1240THB10.594THB211.88
1260 +THB10.432THB208.64

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
812-3205
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SI4178DY-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

12A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

SOIC

Series

Si4178DY

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

33mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

7.5nC

Maximum Power Dissipation Pd

5W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

0.85V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

5mm

Width

4 mm

Standards/Approvals

No

Height

1.55mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN

N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง