Vishay Si4134DY Type N-Channel MOSFET, 14 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- RS Stock No.:
- 165-2664
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI4134DY-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*
THB28,857.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB30,877.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
กำลังจะเลิกผลิต
- 2,500 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | THB11.543 | THB28,857.50 |
| 5000 - 7500 | THB11.196 | THB27,990.00 |
| 10000 + | THB10.86 | THB27,150.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 165-2664
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI4134DY-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 14A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Series | Si4134DY | |
| Package Type | SOIC | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.014Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 7.3nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 5W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 4 mm | |
| Standards/Approvals | IEC 61249-2-21 | |
| Height | 1.5mm | |
| Length | 5mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 14A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Series Si4134DY | ||
Package Type SOIC | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.014Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 7.3nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 5W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 4 mm | ||
Standards/Approvals IEC 61249-2-21 | ||
Height 1.5mm | ||
Length 5mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay Si4134DY Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC Si4134DY-T1-GE3
- Vishay ThunderFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- Vishay Si4190ADY Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- Vishay Si4850EY Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- Vishay Si4116DY Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- Vishay ThunderFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC