Vishay Si4178DY Type N-Channel MOSFET, 12 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4178DY-T1-GE3
- RS Stock No.:
- 165-7249
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI4178DY-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*
THB25,502.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB27,287.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 28 ธันวาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | THB10.201 | THB25,502.50 |
| 5000 - 7500 | THB9.895 | THB24,737.50 |
| 10000 + | THB9.598 | THB23,995.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 165-7249
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI4178DY-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 12A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | SOIC | |
| Series | Si4178DY | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 33mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 25V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 7.5nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 5W | |
| Forward Voltage Vf | 0.85V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 4mm | |
| Length | 5mm | |
| Height | 1.55mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 12A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type SOIC | ||
Series Si4178DY | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 33mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 25V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 7.5nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 5W | ||
Forward Voltage Vf 0.85V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 4mm | ||
Length 5mm | ||
Height 1.55mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay Si4178DY Series MOSFET, 30V Maximum Drain Source Voltage, 12A Maximum Continuous Drain Current - SI4178DY-T1-GE3
This MOSFET is a surface-mount N-channel enhancement device designed for power switching and management in compact electronic systems. It offers moderate voltage handling and high continuous current capability, suited to applications where efficient high-current switching and thermal endurance are required. The component complies with RoHS and is intended for board-level mounting in industry and commercial designs.
Features and Benefits:
• 30V drain rating enables medium-voltage switching applications
• 12A continuous current supports high-current load control
• 33mΩ Rds(on) reduces conduction losses in power paths
• 7.5nC typical gate charge allows fast gate transitions
• 5W power dissipation helps manage thermal load in small packages
• 12A continuous current supports high-current load control
• 33mΩ Rds(on) reduces conduction losses in power paths
• 7.5nC typical gate charge allows fast gate transitions
• 5W power dissipation helps manage thermal load in small packages
Applications
• Suitable for DC-DC converter output stages
• Ideal for battery management and power distribution
• Used with motor drivers for compact actuators
• Can be used for load switching in telecom equipment
• Ideal for battery management and power distribution
• Used with motor drivers for compact actuators
• Can be used for load switching in telecom equipment
What gate voltage limitations must designers observe?
The device accepts up to 25V between gate and source, so gate drivers must remain within this limit to avoid gate-oxide stress.
How does thermal performance influence PCB layout decisions?
With a 5W dissipation rating, designers should provide adequate copper area and thermal vias beneath the SOIC footprint to improve heat-spreading and maintain junction temperature within limits.
What ambient temperature range can it operate within?
It functions reliably from -55°C to 150°C, which informs selection for applications exposed to wide thermal extremes.
What package and mounting considerations affect assembly?
The part is supplied in an SOIC-8 surface-mount package with an overall profile height of 1.55mm, so stencil design and solder-paste volume must be tuned for consistent solder joints.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay Si4178DY Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4178DY-T1-GE3
- Vishay SQ Rugged Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC SQ4850EY-T1-GE3
- Vishay Si4116DY Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4116DY-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel Power MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4124DY-T1-GE3
- Vishay Si4190ADY Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4190ADY-T1-GE3
- Vishay ThunderFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4056DY-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4128DY-T1-GE3
- Vishay ThunderFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4090DY-T1-GE3
