Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 8 A, 12 V Enhancement, 6-Pin TSOP SI3477DV-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 760 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 2%

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*

THB529.80

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB566.80

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 10 ธันวาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
การประหยัด
20 - 740THB26.49THB529.80-
760 - 1480THB25.829THB516.582%
1500 +THB25.432THB508.643%

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
812-3160
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SI3477DV-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

12V

Series

TrenchFET

Package Type

TSOP

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

33mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

4.2W

Forward Voltage Vf

-0.8V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

58nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-10V, +10V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Width

1.7mm

Height

1mm

Length

3.1mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN

P-Channel MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง