P-Channel MOSFET, 8 A, 12 V, 6-Pin TSOP-6 Vishay SI3477DV-T1-GE3

RS Stock No.:: 812-3160
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI3477DV-T1-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

P-Channel MOSFET, 8 A, 12 V, 6-Pin TSOP-6 Vishay SI3477DV-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ราคา / Price Each: (In a Pack of 20)

THB18.183

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB19.456

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

สินค้าหมดชั่วคราว (Temporarily out of stock) - จะเป็นแบ๊คออเดอร์จัดส่ง (back order for despatch) 27/03/2025, จัดส่งภายใน (delivery within) 4-6 วันทำการ (working days)*

* วันที่จัดส่งอาจเปลี่ยนแปลงได้ตามจำนวนสินค้าที่คุณเลือกหรือที่อยู่จัดส่งของคุณ

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

Units	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค**
20 - 740	THB18.183	THB363.66
760 - 1480	THB17.729	THB354.58
1500 +	THB17.456	THB349.12

**ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 812-3160
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI3477DV-T1-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

คุณสมบัติ	Value
Channel Type	P
Maximum Continuous Drain Current	8 A
Maximum Drain Source Voltage	12 V
Package Type	TSOP-6
Series	TrenchFET
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	6
Maximum Drain Source Resistance	33 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage	0.4V
Maximum Power Dissipation	4.2 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-10 V, +10 V
Number of Elements per Chip	1
Transistor Material	Si
Width	1.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs	58 nC @ 10 V
Length	3.1mm
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Height	1mm

P-Channel MOSFET, 8 A, 12 V, 6-Pin TSOP-6 Vishay SI3477DV-T1-GE3

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

P-Channel MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง