onsemi Isolated PowerTrench 2 Type P-Channel MOSFET, 830 mA, 20 V Enhancement, 6-Pin SC-89 FDY1002PZ

RS Stock No.:: 807-0713
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FDY1002PZ
ผู้ผลิต:: onsemi

onsemi Isolated PowerTrench 2 Type P-Channel MOSFET, 830 mA, 20 V Enhancement, 6-Pin SC-89 FDY1002PZ

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*

THB383.275

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB410.10

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

สต็อกสุดท้ายของ RS

1,425 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
25 - 725	THB15.331	THB383.28
750 - 1475	THB14.948	THB373.70
1500 +	THB14.718	THB367.95

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 807-0713
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FDY1002PZ
ผู้ผลิต:: onsemi

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	onsemi
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	830mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	20V
	Package Type	SC-89
	Series	PowerTrench
	Mount Type	Surface
	Pin Count	6
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.8Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	625mW
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	2.2nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	-1V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	8 V
	Transistor Configuration	Isolated
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	1.2 mm
	Standards/Approvals	No
	Height	0.6mm
	Length	1.7mm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand onsemi
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id 830mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds 20V
	Package Type SC-89
	Series PowerTrench
	Mount Type Surface
	Pin Count 6
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.8Ω
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 625mW
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 2.2nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf -1V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 8 V
	Transistor Configuration Isolated
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 1.2 mm
	Standards/Approvals No
	Height 0.6mm
	Length 1.7mm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard No

PowerTrench® Dual P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.

The latest PowerTrench® MOSFETs, employ shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this Advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generation.

Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

onsemi Isolated PowerTrench 2 Type P-Channel MOSFET, 830 mA, 20 V Enhancement, 6-Pin SC-89 FDY1002PZ

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

PowerTrench® Dual P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง