onsemi Isolated PowerTrench 2 Type P-Channel Power MOSFET, 2.6 A, 20 V Enhancement, 6-Pin MicroFET Thin FDME1023PZT

RS Stock No.:: 759-9572
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FDME1023PZT
ผู้ผลิต:: onsemi

onsemi Isolated PowerTrench 2 Type P-Channel Power MOSFET, 2.6 A, 20 V Enhancement, 6-Pin MicroFET Thin FDME1023PZT

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB85.64

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB91.635

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

สต็อกสุดท้ายของ RS

4,285 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 1245	THB17.128	THB85.64
1250 - 2495	THB16.70	THB83.50
2500 +	THB16.444	THB82.22

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 759-9572
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FDME1023PZT
ผู้ผลิต:: onsemi

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	onsemi
	Channel Type	Type P
	Product Type	Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	2.6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	20V
	Series	PowerTrench
	Package Type	MicroFET Thin
	Mount Type	Surface
	Pin Count	6
	Maximum Drain Source Resistance Rds	142mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	7.7nC
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd	1.4W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	8 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Transistor Configuration	Isolated
	Length	1.6mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Height	0.5mm
	Width	1.6 mm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand onsemi
	Channel Type Type P
	Product Type Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 2.6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 20V
	Series PowerTrench
	Package Type MicroFET Thin
	Mount Type Surface
	Pin Count 6
	Maximum Drain Source Resistance Rds 142mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 7.7nC
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd 1.4W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 8 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Transistor Configuration Isolated
	Length 1.6mm
	Standards/Approvals RoHS
	Height 0.5mm
	Width 1.6 mm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard No

PowerTrench® Dual P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.

The latest PowerTrench® MOSFETs, employ shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this Advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generation.

Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

onsemi Isolated PowerTrench 2 Type P-Channel Power MOSFET, 2.6 A, 20 V Enhancement, 6-Pin MicroFET Thin FDME1023PZT

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

PowerTrench® Dual P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง