onsemi PowerTrench Dual N-Channel MOSFET, 600 mA, 20 V, 6-Pin SC-89-6 FDY3000NZ

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
RS Stock No.:
166-1809
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
FDY3000NZ
ผู้ผลิต:
onsemi
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

600 mA

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Series

PowerTrench

Package Type

SC-89-6

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance

700 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

0.6V

Maximum Power Dissipation

625 mW

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +12 V

Transistor Material

Si

Width

1.2mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

0.8 nC @ 4.5 V

Length

1.6mm

Number of Elements per Chip

2

Height

0.5mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

PowerTrench® Dual N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor


ON Semis PowerTrench® MOSFETS are optimised power switched that offer increased system efficiency and power density. They combine small gate charge, small reverse recovery and a soft reverse recovery body diode to contribute to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.

For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.



MOSFET Transistors, ON Semi


ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง