onsemi Isolated PowerTrench 2 Type P, Type N-Channel MOSFET, 6.5 A, 20 V Enhancement, 8-Pin SOIC FDS9934C

RS Stock No.:: 806-3680
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FDS9934C
ผู้ผลิต:: onsemi

onsemi Isolated PowerTrench 2 Type P, Type N-Channel MOSFET, 6.5 A, 20 V Enhancement, 8-Pin SOIC FDS9934C

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 10 ชิ้น)*

THB242.88

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB259.88

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

สต็อกสุดท้ายของ RS

70 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
2,190 ชิ้นสุดท้ายส่งจากวันที่ 02 มกราคม 2569

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
10 - 620	THB24.288	THB242.88
630 - 1240	THB23.682	THB236.82
1250 +	THB23.317	THB233.17

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 806-3680
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FDS9934C
ผู้ผลิต:: onsemi

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	onsemi
	Channel Type	Type P, Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	6.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	20V
	Series	PowerTrench
	Package Type	SOIC
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	90mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	6.2nC
	Forward Voltage Vf	0.73V
	Maximum Power Dissipation Pd	2W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	12 V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Transistor Configuration	Isolated
	Width	3.9 mm
	Height	1.575mm
	Length	4.9mm
	Standards/Approvals	No
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand onsemi
	Channel Type Type P, Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 6.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 20V
	Series PowerTrench
	Package Type SOIC
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 90mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 6.2nC
	Forward Voltage Vf 0.73V
	Maximum Power Dissipation Pd 2W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 12 V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Transistor Configuration Isolated
	Width 3.9 mm
	Height 1.575mm
	Length 4.9mm
	Standards/Approvals No
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard No

PowerTrench® Dual N/P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.

The latest PowerTrench® MOSFETs, employ shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this Advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generation.

Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

onsemi Isolated PowerTrench 2 Type P, Type N-Channel MOSFET, 6.5 A, 20 V Enhancement, 8-Pin SOIC FDS9934C

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

PowerTrench® Dual N/P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง