onsemi Isolated PowerTrench 2 Type P, Type N-Channel MOSFET, 3.7 A, 20 V Enhancement, 6-Pin MLP

RS Stock No.:: 166-2660
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FDMA1032CZ
ผู้ผลิต:: onsemi

onsemi Isolated PowerTrench 2 Type P, Type N-Channel MOSFET, 3.7 A, 20 V Enhancement, 6-Pin MLP

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB63,762.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB68,226.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 3,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 26 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
3000 +	THB21.254	THB63,762.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 166-2660
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FDMA1032CZ
ผู้ผลิต:: onsemi

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	onsemi
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type P, Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	3.7A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	20V
	Series	PowerTrench
	Package Type	MLP
	Mount Type	Surface
	Pin Count	6
	Maximum Drain Source Resistance Rds	95mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	0.7V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	4nC
	Maximum Power Dissipation Pd	1.4W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	12 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Transistor Configuration	Isolated
	Length	2mm
	Standards/Approvals	No
	Height	0.75mm
	Width	2 mm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand onsemi
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type P, Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 3.7A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 20V
	Series PowerTrench
	Package Type MLP
	Mount Type Surface
	Pin Count 6
	Maximum Drain Source Resistance Rds 95mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 0.7V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 4nC
	Maximum Power Dissipation Pd 1.4W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 12 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Transistor Configuration Isolated
	Length 2mm
	Standards/Approvals No
	Height 0.75mm
	Width 2 mm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard No

PowerTrench® Dual N/P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.

The latest PowerTrench® MOSFETs, employ shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this Advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generation.

Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

onsemi Isolated PowerTrench 2 Type P, Type N-Channel MOSFET, 3.7 A, 20 V Enhancement, 6-Pin MLP

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

PowerTrench® Dual N/P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง