onsemi Isolated PowerTrench 2 Type N, Type N, Type P, Type P-Channel MOSFET, 6.2 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SOIC

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
RS Stock No.:
166-2595
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
FDS4897C
ผู้ผลิต:
onsemi
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

onsemi

Transistor Configuration

Isolated

Series

PowerTrench

Number of Elements per Chip

2

Channel Type

Type N, Type N, Type P, Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current (Id)

6.2 A

Maximum Drain Source Voltage (Vds)

40 V

Channel Mode

Enhancement

Pin Count

8

Package Type

SOIC

Automotive Standard

No

Forward Voltage (Vf)

700 mV

Height

1.5 mm

Length

5 mm

Maximum Drain Source Resistance (Rds)

63 mΩ

Maximum Gate Source Voltage (Vgs)

-20 V, +20 V

Maximum Operating Temperature

150 °C

Maximum Power Dissipation (Pd)

2 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Mount Type

Surface

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Typical Gate Charge (Qg) @ Vgs

20 nC

Width

4 mm

PowerTrench® Dual N/P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor


PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.

The latest PowerTrench® MOSFETs, employ shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this Advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generation.

Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, ON Semi


ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง