onsemi Isolated PowerTrench 2 Type P, Type N-Channel MOSFET, 6.4 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC FDS8958B

RS Stock No.:: 806-3674
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FDS8958B
ผู้ผลิต:: onsemi

onsemi Isolated PowerTrench 2 Type P, Type N-Channel MOSFET, 6.4 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC FDS8958B

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB206.94

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB221.43

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

400 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
10 - 620	THB20.694	THB206.94
630 - 1240	THB20.177	THB201.77
1250 +	THB19.867	THB198.67

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 806-3674
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FDS8958B
ผู้ผลิต:: onsemi

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	onsemi
	Channel Type	Type P, Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	6.4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Package Type	SOIC
	Series	PowerTrench
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	80mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	2W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	12nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	±25 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	0.8V
	Transistor Configuration	Isolated
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	1.575mm
	Standards/Approvals	No
	Length	4.9mm
	Width	3.9 mm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand onsemi
	Channel Type Type P, Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 6.4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Package Type SOIC
	Series PowerTrench
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 80mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 2W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 12nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs ±25 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 0.8V
	Transistor Configuration Isolated
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 1.575mm
	Standards/Approvals No
	Length 4.9mm
	Width 3.9 mm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard No

PowerTrench® Dual N/P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.

The latest PowerTrench® MOSFETs, employ shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this Advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generation.

Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

onsemi Isolated PowerTrench 2 Type P, Type N-Channel MOSFET, 6.4 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC FDS8958B

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

PowerTrench® Dual N/P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง