onsemi Isolated PowerTrench 2 Type N-Channel Dual N-Channel Power Trench MOSFET, 12 A, 40 V Enhancement, 8-Pin Power 33

RS Stock No.:: 806-3504
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FDMC8030
ผู้ผลิต:: onsemi

onsemi Isolated PowerTrench 2 Type N-Channel Dual N-Channel Power Trench MOSFET, 12 A, 40 V Enhancement, 8-Pin Power 33

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB307.97

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB329.53

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

สต็อกสุดท้ายของ RS

370 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
2,150 ชิ้นสุดท้ายส่งจากวันที่ 02 มกราคม 2569

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 745	THB61.594	THB307.97
750 - 1495	THB60.054	THB300.27
1500 +	THB59.13	THB295.65

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 806-3504
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FDMC8030
ผู้ผลิต:: onsemi

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	onsemi
	Product Type	Dual N-Channel Power Trench MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	12A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Series	PowerTrench
	Package Type	Power 33
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	10mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	±12 V
	Maximum Power Dissipation Pd	1.9W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	30nC
	Transistor Configuration	Isolated
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	0.75mm
	Width	3 mm
	Standards/Approvals	Lead-Free and RoHS
	Length	3mm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand onsemi
	Product Type Dual N-Channel Power Trench MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 12A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Series PowerTrench
	Package Type Power 33
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 10mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs ±12 V
	Maximum Power Dissipation Pd 1.9W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 30nC
	Transistor Configuration Isolated
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 0.75mm
	Width 3 mm
	Standards/Approvals Lead-Free and RoHS
	Length 3mm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard No

PowerTrench® Dual N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

ON Semis PowerTrench® MOSFETS are optimised power switched that offer increased system efficiency and power density. They combine small gate charge, small reverse recovery and a soft reverse recovery body diode to contribute to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.

The soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

onsemi Isolated PowerTrench 2 Type N-Channel Dual N-Channel Power Trench MOSFET, 12 A, 40 V Enhancement, 8-Pin Power 33

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

PowerTrench® Dual N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง