onsemi Isolated PowerTrench 2 N-Channel Power MOSFET, 7 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC FDS8984
- RS Stock No.:
- 166-2448
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FDS8984
- ผู้ผลิต:
- onsemi
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*
THB32,230.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB34,485.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 23 เมษายน 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | THB12.892 | THB32,230.00 |
| 5000 - 7500 | THB12.505 | THB31,262.50 |
| 10000 + | THB12.13 | THB30,325.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 166-2448
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FDS8984
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 7A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Series | PowerTrench | |
| Package Type | SOIC | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 23mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 9.2nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -20V, +20V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.6W | |
| Maximum Operating Temperature | +150°C | |
| Transistor Configuration | Isolated | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 5mm | |
| Width | 4mm | |
| Height | 1.5mm | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 7A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Series PowerTrench | ||
Package Type SOIC | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 23mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 9.2nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.6W | ||
Maximum Operating Temperature +150°C | ||
Transistor Configuration Isolated | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 5mm | ||
Width 4mm | ||
Height 1.5mm | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard No | ||
Automotive Dual N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor provides solutions that solve complex challenges in the automotive market with a thorough command of quality, safety, and reliability standards.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi Isolated PowerTrench 2 N-Channel Power MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC FDS8984
- onsemi Isolated PowerTrench 2 N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- onsemi Isolated PowerTrench 2 N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- onsemi Isolated PowerTrench 2 N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- onsemi Isolated PowerTrench 2 N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- onsemi Isolated PowerTrench 2 N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SOIC FDS89141
- onsemi Isolated PowerTrench 2 N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC FDS9945
- onsemi Isolated PowerTrench 2 N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin SOIC FDS3890
