onsemi Isolated PowerTrench 2 Type N-Channel Power MOSFET, 7 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*

THB32,230.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB34,485.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 20 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
2500 - 2500THB12.892THB32,230.00
5000 - 7500THB12.505THB31,262.50
10000 +THB12.13THB30,325.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
166-2448
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
FDS8984
ผู้ผลิต:
onsemi
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

onsemi

Channel Type

Type N

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

SOIC

Series

PowerTrench

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

23mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

150°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

9.2nC

Maximum Power Dissipation Pd

1.6W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

-55°C

Transistor Configuration

Isolated

Length

5mm

Height

1.5mm

Width

4 mm

Standards/Approvals

No

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

Automotive Dual N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor


Fairchild Semiconductor provides solutions that solve complex challenges in the automotive market with a thorough command of quality, safety, and reliability standards.

MOSFET Transistors, ON Semi


ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง