onsemi Isolated PowerTrench 2 Type N-Channel Dual N-Channel Power Trench MOSFET, 12 A, 40 V Enhancement, 8-Pin Power 33

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
RS Stock No.:
124-1389
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
FDMC8030
ผู้ผลิต:
onsemi
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

onsemi

Channel Type

Type N

Product Type

Dual N-Channel Power Trench MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

12A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

PowerTrench

Package Type

Power 33

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

10mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

30nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

1.9W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±12 V

Forward Voltage Vf

1.2V

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3mm

Standards/Approvals

Lead-Free and RoHS

Height

0.75mm

Width

3 mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

PowerTrench® Dual N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor


ON Semis PowerTrench® MOSFETS are optimised power switched that offer increased system efficiency and power density. They combine small gate charge, small reverse recovery and a soft reverse recovery body diode to contribute to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.

The soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, ON Semi


ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง