Vishay SQ Rugged Type N-Channel TrenchFET Power MOSFET, 25 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SQD25N06-22L_GE3
- RS Stock No.:
- 787-9480
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQD25N06-22L_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB307.23
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB328.735
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 30 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
- 1,880 ชิ้นสุดท้ายส่งจากวันที่ 02 มกราคม 2569
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 495 | THB61.446 | THB307.23 |
| 500 - 995 | THB59.912 | THB299.56 |
| 1000 + | THB58.988 | THB294.94 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 787-9480
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQD25N06-22L_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | TrenchFET Power MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 25A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | SQ Rugged | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | PCB | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.022Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 50nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 62W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 6.73mm | |
| Standards/Approvals | IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | |
| Height | 2.38mm | |
| Width | 6.22 mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type TrenchFET Power MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 25A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series SQ Rugged | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type PCB | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.022Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 50nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 62W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 6.73mm | ||
Standards/Approvals IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | ||
Height 2.38mm | ||
Width 6.22 mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
N-Channel MOSFET, Automotive SQ Rugged Series, Vishay Semiconductor
Advantages of SQ Rugged Series MOSFETs
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Approvals
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SQ Rugged Type N-Channel TrenchFET Power MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Vishay SQ Rugged Type N-Channel TrenchFET Power MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay SQ Rugged Type N-Channel TrenchFET Power MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SQ2310ES-T1_BE3
- Vishay SQ Rugged Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Vishay SQ Rugged Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SQD40N06-14L_GE3
- Vishay SQ Rugged Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 5-Pin SO-8
- Vishay SQ Rugged Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin TSOP
- Vishay SQ Rugged Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
