Vishay SQ Rugged Type N-Channel TrenchFET Power MOSFET, 6 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SQ2310ES-T1_BE3
- RS Stock No.:
- 787-9443
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQ2310ES-T1_BE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB208.42
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB223.01
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
กำลังจะเลิกผลิต
- 20 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
- 1,810 ชิ้นสุดท้ายส่งจากวันที่ 15 พฤษภาคม 2569
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 740 | THB20.842 | THB208.42 |
| 750 - 1490 | THB20.321 | THB203.21 |
| 1500 + | THB20.009 | THB200.09 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 787-9443
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQ2310ES-T1_BE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | TrenchFET Power MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 6A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Series | SQ Rugged | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.03Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 8.5nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 1.02mm | |
| Standards/Approvals | IEC 61249-2-21, RoHS: 2002/95/EC | |
| Length | 3.04mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type TrenchFET Power MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 6A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Package Type SOT-23 | ||
Series SQ Rugged | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.03Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 8.5nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 1.02mm | ||
Standards/Approvals IEC 61249-2-21, RoHS: 2002/95/EC | ||
Length 3.04mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
N-Channel MOSFET, Automotive SQ Rugged Series, Vishay Semiconductor
The SQ series of MOSFETs from Vishay Semiconductor are designed for all automotive applications requiring ruggedness and high reliability.
Advantages of SQ Rugged Series MOSFETs
• AEC-Q101 qualified
• Junction temperature up to +175°C
• Low on-resistance n- and p-channel TrenchFET® technologies
• Innovative space-saving package options
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Approvals
AEC-Q101
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SQ Rugged Type N-Channel TrenchFET Power MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay SQ Rugged Type N-Channel TrenchFET Power MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Vishay SQ Rugged Type N-Channel TrenchFET Power MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SQD25N06-22L_GE3
- Vishay SQ Rugged Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay SQ Rugged Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SQ2301ES-T1-GE3
- Vishay SQ Rugged Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Vishay SQ Rugged Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SQD40N06-14L_GE3
- Vishay 2N7002K Type N-Channel TrenchFET Power MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
