Vishay SQ Rugged N-Channel TrenchFET Power MOSFET, 6 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SQ2310ES-T1_BE3

RS Stock No.:: 787-9443
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SQ2310ES-T1_BE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay SQ Rugged N-Channel TrenchFET Power MOSFET, 6 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SQ2310ES-T1_BE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB229.26

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB245.31

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

กำลังจะเลิกผลิต

10 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
560 ชิ้นสุดท้ายส่งจากวันที่ 17 กันยายน 2569

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
10 - 740	THB22.926	THB229.26
750 - 1490	THB22.353	THB223.53
1500 +	THB22.01	THB220.10

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 787-9443
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SQ2310ES-T1_BE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Product Type	TrenchFET Power MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	20V
	Series	SQ Rugged
	Package Type	SOT-23
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.03Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	8V
	Maximum Power Dissipation Pd	2W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	8.5nC
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Width	1.4mm
	Standards/Approvals	IEC 61249-2-21, RoHS: 2002/95/EC
	Height	1.02mm
	Length	3.04mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Product Type TrenchFET Power MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 20V
	Series SQ Rugged
	Package Type SOT-23
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.03Ω
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 8V
	Maximum Power Dissipation Pd 2W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 8.5nC
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Width 1.4mm
	Standards/Approvals IEC 61249-2-21, RoHS: 2002/95/EC
	Height 1.02mm
	Length 3.04mm
	Automotive Standard AEC-Q101

N-Channel MOSFET, Automotive SQ Rugged Series, Vishay Semiconductor

The SQ series of MOSFETs from Vishay Semiconductor are designed for all automotive applications requiring ruggedness and high reliability.

Advantages of SQ Rugged Series MOSFETs

• AEC-Q101 qualified

• Junction temperature up to +175°C

• Low on-resistance n- and p-channel TrenchFET® technologies

• Innovative space-saving package options

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Approvals

AEC-Q101