Vishay SQ Rugged Type N-Channel TrenchFET Power MOSFET, 6 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SQ2310ES-T1_BE3

RS Stock No.:: 787-9443
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SQ2310ES-T1_BE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay SQ Rugged Type N-Channel TrenchFET Power MOSFET, 6 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SQ2310ES-T1_BE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB208.42

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB223.01

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

กำลังจะเลิกผลิต

60 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
1,860 ชิ้นสุดท้ายส่งจากวันที่ 02 มกราคม 2569

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
10 - 740	THB20.842	THB208.42
750 - 1490	THB20.321	THB203.21
1500 +	THB20.009	THB200.09

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 787-9443
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SQ2310ES-T1_BE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	TrenchFET Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	20V
	Package Type	SOT-23
	Series	SQ Rugged
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.03Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	8.5nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	2W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	±8 V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	IEC 61249-2-21, RoHS: 2002/95/EC
	Height	1.02mm
	Length	3.04mm
	Width	1.4 mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type TrenchFET Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 20V
	Package Type SOT-23
	Series SQ Rugged
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.03Ω
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 8.5nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 2W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs ±8 V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals IEC 61249-2-21, RoHS: 2002/95/EC
	Height 1.02mm
	Length 3.04mm
	Width 1.4 mm
	Automotive Standard AEC-Q101

N-Channel MOSFET, Automotive SQ Rugged Series, Vishay Semiconductor

The SQ series of MOSFETs from Vishay Semiconductor are designed for all automotive applications requiring ruggedness and high reliability.

Advantages of SQ Rugged Series MOSFETs

• AEC-Q101 qualified

• Junction temperature up to +175°C

• Low on-resistance n- and p-channel TrenchFET® technologies

• Innovative space-saving package options

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Approvals

AEC-Q101