Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 12 A, 12 V Enhancement, 6-Pin SC-70 SIA447DJ-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 10 ชิ้น)*

THB137.36

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB146.98

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
10 - 740THB13.736THB137.36
750 - 1490THB13.394THB133.94
1500 +THB13.186THB131.86

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
787-9288
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SIA447DJ-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

12A

Maximum Drain Source Voltage Vds

12V

Series

TrenchFET

Package Type

SC-70

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

71mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

19W

Forward Voltage Vf

-1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

52nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

8 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

1.7mm

Standards/Approvals

No

Height

0.8mm

Width

1.7 mm

Automotive Standard

No

P-Channel MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง