Vishay Type N-Channel Power MOSFET, 5.3 A, 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220FP SIHF5N50D-E3
- RS Stock No.:
- 145-1658
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHF5N50D-E3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*
THB1,848.70
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,978.10
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 100 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | THB36.974 | THB1,848.70 |
| 100 - 150 | THB36.17 | THB1,808.50 |
| 200 + | THB35.366 | THB1,768.30 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 145-1658
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHF5N50D-E3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 5.3A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 500V | |
| Package Type | TO-220FP | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.5Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 30W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±30 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 20nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 4.83 mm | |
| Length | 10.63mm | |
| Height | 9.8mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 5.3A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 500V | ||
Package Type TO-220FP | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.5Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 30W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±30 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 20nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 4.83 mm | ||
Length 10.63mm | ||
Height 9.8mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel MOSFET, D Series High Voltage, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay Type N-Channel Power MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220FP
- Vishay TrenchFET Type N-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Type N-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SI4900DY-T1-E3
- Vishay IRFI Type N-Channel Power MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220FP
- Vishay IRFI Type N-Channel Power MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220FP
- Vishay IRFI Type N-Channel Power MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220FP
- Vishay IRFI Type N-Channel Power MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220FP IRFIB7N50APBF
- Vishay IRFI Type N-Channel Power MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220FP IRFI840GPBF
