Vishay Si2318CDS N-Channel MOSFET, 5.6 A, 40 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2318CDS-T1-GE3
- RS Stock No.:
- 787-9036
- Distrelec หมายเลขบทความ:
- 304-02-276
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI2318CDS-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 760 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB171.76
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*
THB180.54
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB193.18
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 40 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
- 980 ชิ้นสุดท้ายส่งจากวันที่ 19 พฤศจิกายน 2569
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 20 - 740 | THB9.027 | THB180.54 | - |
| 760 - 1480 | THB8.801 | THB176.02 | THB171.76 |
| 1500 + | THB8.666 | THB173.32 | THB541.50 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 787-9036
- Distrelec หมายเลขบทความ:
- 304-02-276
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI2318CDS-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 5.6A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Series | Si2318CDS | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 51mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 5.8nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -20V, +20V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2.1W | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 1.4mm | |
| Length | 3.04mm | |
| Height | 1.02mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 5.6A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type SOT-23 | ||
Series Si2318CDS | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 51mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 5.8nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2.1W | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 1.4mm | ||
Length 3.04mm | ||
Height 1.02mm | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay Si2318CDS N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2318CDS-T1-GE3
- Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2318HDS-T1-GE3
- Vishay TrenchFET N-Channel Power MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2302DDS-T1-GE3
- Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2392ADS-T1-GE3
- Vishay SI2324BDS N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2324BDS-T1-GE3
- Vishay Si2308BDS N-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2308BDS-T1-GE3
- Vishay SI N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2392BDS-T1-GE3
- Vishay Si2366DS N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2366DS-T1-GE3