STMicroelectronics SuperMESH Type N-Channel Power MOSFET, 10 A, 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP11NK50Z
- RS Stock No.:
- 485-7456
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STP11NK50Z
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB574.80
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB615.05
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 15 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 23 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
- เพิ่มอีก 1,775 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 30 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 10 | THB114.96 | THB574.80 |
| 15 - 20 | THB112.084 | THB560.42 |
| 25 + | THB110.36 | THB551.80 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 485-7456
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STP11NK50Z
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 10A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 500V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | SuperMESH | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.52Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 125W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 49nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±30 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.6V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 4.6 mm | |
| Height | 9.15mm | |
| Length | 10.4mm | |
| Standards/Approvals | ECOPACK, JEDEC JESD97 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 10A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 500V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series SuperMESH | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.52Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 125W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 49nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±30 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.6V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 4.6 mm | ||
Height 9.15mm | ||
Length 10.4mm | ||
Standards/Approvals ECOPACK, JEDEC JESD97 | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250V to 650V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics SuperMESH Type N-Channel Power MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics SuperMESH Type N-Channel Power MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP12NK80Z
- STMicroelectronics SuperMESH Type N-Channel Power MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220FP
- STMicroelectronics SuperMESH Type N-Channel Power MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220FP STP7NK80ZFP
- STMicroelectronics SuperMESH Type N-Channel Zener-Protected SuperMESH MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics SuperMESH Type N-Channel SuperMESH Power MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- STMicroelectronics SuperMESH Type N-Channel SuperMESH Power MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB4NK60ZT4
- STMicroelectronics SuperMESH Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220