N-Channel MOSFET, 1.9 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SI2308BDS-T1-GE3

RS Stock No.:: 710-3257
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI2308BDS-T1-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

N-Channel MOSFET, 1.9 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SI2308BDS-T1-GE3

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ราคา / Price Each: (In a Pack of 20)

THB14.904

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB15.947

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

160 มีของพร้อมจัดส่งภายใน (In stock for delivery within) 4-6 วันทำการ (working days)*

* วันที่จัดส่งอาจเปลี่ยนแปลงได้ตามจำนวนสินค้าที่คุณเลือกหรือที่อยู่จัดส่งของคุณ

Units	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค**
20 - 740	THB14.904	THB298.08
760 - 1480	THB14.531	THB290.62
1500 +	THB14.307	THB286.14

**ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 710-3257
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI2308BDS-T1-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

คุณสมบัติ	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	1.9 A
Maximum Drain Source Voltage	60 V
Package Type	SOT-23 (TO-236)
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	3
Maximum Drain Source Resistance	156 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage	1V
Maximum Power Dissipation	1.09 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Transistor Material	Si
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Length	3.04mm
Number of Elements per Chip	1
Width	1.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs	4.5 nC @ 10 V
Height	1.02mm
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Forward Diode Voltage	1.2V

N-Channel MOSFET, 1.9 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SI2308BDS-T1-GE3

N-Channel MOSFET, 60V to 90V, Vishay Semiconductor

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง