Vishay Si2308BDS Type N-Channel Power MOSFET, 2.3 A, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2308BDS-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*

THB326.40

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB349.20

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
กำลังจะเลิกผลิต
  • 40 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
  • 540 ชิ้นสุดท้ายส่งจากวันที่ 01 มกราคม 2569
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
20 - 740THB16.32THB326.40
760 - 1480THB15.912THB318.24
1500 +THB15.667THB313.34

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
710-3257
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SI2308BDS-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

2.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

SOT-23

Series

Si2308BDS

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.192Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

2.3nC

Maximum Power Dissipation Pd

1.66W

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3.04mm

Height

1.02mm

Standards/Approvals

IEC 61249-2-21

Width

1.4 mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN

N-Channel MOSFET, 60V to 90V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง