Vishay IRF Type N-Channel MOSFET, 5.6 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF510SPBF
- RS Stock No.:
- 178-0860
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF510SPBF
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*
THB1,075.40
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,150.70
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 5,550 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | THB21.508 | THB1,075.40 |
| 100 - 150 | THB21.04 | THB1,052.00 |
| 200 + | THB20.573 | THB1,028.65 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 178-0860
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF510SPBF
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 5.6A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | IRF | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 540mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 2.5V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 8.3nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 3.7W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 4.83mm | |
| Length | 10.67mm | |
| Width | 4.83 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 5.6A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series IRF | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 540mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 2.5V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 8.3nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 3.7W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 4.83mm | ||
Length 10.67mm | ||
Width 4.83 mm | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay IRF Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Vishay IRF Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Vishay IRF Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF510PBF
- Vishay IRF Type N-Channel MOSFET 250 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Vishay IRF Type N-Channel MOSFET 250 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF644SPBF
- Vishay IRF Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Vishay IRF Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Vishay IRF Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF540PBF