Vishay IRFIZ48G Type N-Channel Power MOSFET, 37 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRFIZ48GPBF

RS Stock No.:: 708-4799
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFIZ48GPBF
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay IRFIZ48G Type N-Channel Power MOSFET, 37 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRFIZ48GPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB403.10

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB431.30

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 165 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 22 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 10	THB80.62	THB403.10
15 - 20	THB78.602	THB393.01
25 +	THB77.392	THB386.96

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 708-4799
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFIZ48GPBF
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	37A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	TO-220
	Series	IRFIZ48G
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	18mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Forward Voltage Vf	2V
	Maximum Power Dissipation Pd	50W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	110nC
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	9.8mm
	Length	10.3mm
	Standards/Approvals	No
	Width	4.7mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 37A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type TO-220
	Series IRFIZ48G
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 18mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Forward Voltage Vf 2V
	Maximum Power Dissipation Pd 50W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 110nC
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 9.8mm
	Length 10.3mm
	Standards/Approvals No
	Width 4.7mm
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: CN

Vishay IRFIZ48G Series Power MOSFET, 60V Drain Source Voltage, 37A Continuous Drain Current - IRFIZ48GPBF

This power MOSFET is a through-hole N-channel enhancement device designed for switching and power-control tasks in industrial and electronic systems. It operates at medium voltage and is suited to applications requiring significant continuous current handling and elevated temperature tolerance while mounted in a TO-220 package.

Features and Benefits:

• 60V maximum drain voltage enables moderate-voltage system use • 37A continuous drain current supports high-current switching • 18mΩ Rds(on) reduces conduction losses for efficient operation • 50W power dissipation allows sustained thermal loading • 110nC typical gate charge at Vgs provides predictable switching behaviour • 175°C maximum operating temperature permits hot-environment deployment

Applications

• Suitable for motor-drive stage in automation systems • Ideal for power supplies and DC-DC converters • Used for relay replacement in industrial control panels • Can be used for battery-management and power-distribution circuits

What gate-voltage limits should I respect during design?

The maximum gate-to-source voltage is 20V, so gate-drive circuitry must not exceed this to prevent device damage.

How does the package affect mounting and cooling options?

The TO-220 through-hole package with three pins allows bolted heatsink attachment and straightforward PCB mounting for enhanced thermal conduction.

What temperature range can the device tolerate in service?

It is rated for operation from -55°C up to 175°C, enabling use in environments with wide thermal excursions.

What switching characteristic influences drive requirements?

The typical gate charge of 110nC at Vgs determines the drive current and driver selection to achieve desired rise/fall times.

How should I account for power losses in thermal design?

Use the 50W power-dissipation rating to size heatsinks and thermal interfaces, calculating expected losses from conduction and switching for steady-state conditions.