Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET, 37 A, 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPA60R080P7XKSA1
- RS Stock No.:
- 215-2477
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPA60R080P7XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB882.29
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB944.05
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 02 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 10 | THB176.458 | THB882.29 |
| 15 - 20 | THB172.048 | THB860.24 |
| 25 + | THB169.40 | THB847.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 215-2477
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPA60R080P7XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 37A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 500V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | CoolMOS CE | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 80mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 29W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 51nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 37A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 500V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series CoolMOS CE | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 80mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 29W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 51nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon 600V Cool MOS™ P7 is the successor to the 600V Cool MOS™ P6 series. It continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class R onxA and the inherently low gate charge (Q G) of the Cool MOS™ 7th generation platform ensure its high efficiency. It combines the benefits of a fast switching SJ MOSFET with excellent ease of use, e.g. very low ringing tendency, outstanding robustness of body diode against hard commutation and excellent ESD capability. Furthermore, extremely low switching and conduction losses make switching application seven more efficient, more compact and much cooler.
Suitable for hard and soft switching (PFC and LLC) due to an outstanding commutation ruggedness
Excellent ESD robustness >2kV(HBM) for all products
Significant reduction of switching and conduction losses
Wide portfolio in through hole and surface mount packages
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPA50R500CEXKSA2
- Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 550 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 550 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 550 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPA50R280CEXKSA2
- Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 550 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP50R190CEXKSA1
