Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET, 37 A, 150 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPA105N15N3GXKSA1
- RS Stock No.:
- 906-2956
- Distrelec หมายเลขบทความ:
- 304-44-433
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPA105N15N3GXKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 4 ชิ้น)*
THB741.24
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB793.12
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 4 - 8 | THB185.31 | THB741.24 |
| 12 - 20 | THB180.673 | THB722.69 |
| 24 + | THB177.89 | THB711.56 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 906-2956
- Distrelec หมายเลขบทความ:
- 304-44-433
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPA105N15N3GXKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 37A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 150V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | OptiMOS 3 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 11.1mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 41nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 40.5W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 10.65mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 16.15mm | |
| Width | 4.85 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 37A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 150V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series OptiMOS 3 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 11.1mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 41nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 40.5W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 10.65mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 16.15mm | ||
Width 4.85 mm | ||
Automotive Standard No | ||
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB072N15N3GATMA1
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB200N15N3GATMA1