onsemi NDS0605 Type P-Channel MOSFET, 120 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 NDS0610

RS Stock No.:: 671-1074
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: NDS0610
ผู้ผลิต:: onsemi

onsemi NDS0605 Type P-Channel MOSFET, 120 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 NDS0610

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*

THB172.14

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB184.18

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 1,800 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
เพิ่มอีก 31,640 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 26 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
20 - 740	THB8.607	THB172.14
760 - 1480	THB8.392	THB167.84
1500 +	THB8.262	THB165.24

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 671-1074
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: NDS0610
ผู้ผลิต:: onsemi

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	onsemi
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	120mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	SOT-23
	Series	NDS0605
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	10Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	1.8nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	360mW
	Forward Voltage Vf	-1.5V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	2.92mm
	Height	0.93mm
	Width	1.3 mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand onsemi
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id 120mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type SOT-23
	Series NDS0605
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 10Ω
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 1.8nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 360mW
	Forward Voltage Vf -1.5V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 2.92mm
	Height 0.93mm
	Width 1.3 mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Enhancement Mode P-Channel MOSFET, ON Semiconductor

ON Semiconductors range of P-Channel MOSFETS are produced using ON Semi’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize on-state resistance to provide a rugged and reliable performance for fast switching.

Features and Benefits:

• Voltage controlled P-Channel small signal switch

• High-Density cell design

• High saturation current

• Superior switching

• Great rugged and reliable performance

• DMOS technology

Applications:

• Load Switching

• DC/DC converter

• Battery protection

• Power management control

• DC motor control

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.