Microchip TP0610T Type P-Channel MOSFET, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 TP0610T-G
- RS Stock No.:
- 333-219
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- TP0610T-G
- ผู้ผลิต:
- Microchip
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB108,054.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB115,617.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สินค้าใหม่ - พรีออเดอร์วันนี้
- ส่งจากวันที่ 20 เมษายน 2569
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 + | THB36.018 | THB108,054.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 333-219
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- TP0610T-G
- ผู้ผลิต:
- Microchip
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Microchip | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | TP0610T | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Microchip | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series TP0610T | ||
Package Type SOT-23 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Microchip MOSFET is a low threshold, enhancement mode transistor utilizes a vertical DMOS structure and well proven, silicon gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally induced secondary breakdown. vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.
Low threshold
High input impedance
Low input capacitance
Fast switching speeds
Low on resistance
Free from secondary breakdown
Low input and output leakage
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon ISS Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex ZXMP6A13F Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 ZXMP6A13FTA
- DiodesZetex Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Infineon SIPMOS Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Nexperia BSH201 Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- onsemi NDS0605 Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Infineon SIPMOS Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS84PH6327XTSA2
- Nexperia BSH201 Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement215
