Infineon ISS Type P-Channel MOSFET, 0.18 A, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 ISS55EP06LMXTSA1

RS Stock No.:: 244-2278
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: ISS55EP06LMXTSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon ISS Type P-Channel MOSFET, 0.18 A, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 ISS55EP06LMXTSA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 15 ชิ้น)*

THB48.81

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB52.23

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

สต็อกสุดท้ายของ RS

8,340 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
15 - 15	THB3.254	THB48.81
30 - 75	THB3.097	THB46.46
90 - 225	THB2.941	THB44.12
240 - 465	THB2.791	THB41.87
480 +	THB2.655	THB39.83

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	0.18A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Series	ISS
	Package Type	SOT-23
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	3mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Maximum Power Dissipation Pd	81W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	80nC
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 0.18A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Series ISS
	Package Type SOT-23
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 3mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Maximum Power Dissipation Pd 81W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard AEC-Q101

Infineon ISS Type P-Channel MOSFET, 0.18 A, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 ISS55EP06LMXTSA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง