onsemi NTD6415ANL N-Channel MOSFET, 23 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 NTD6415ANLT4G
- RS Stock No.:
- 802-1030
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTD6415ANLT4G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 10 ชิ้น)*
THB487.70
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB521.80
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีสต็อกจำกัด
- 20 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 10 - 620 | THB48.77 | THB487.70 |
| 630 - 1240 | THB47.553 | THB475.53 |
| 1250 + | THB46.821 | THB468.21 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 802-1030
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTD6415ANLT4G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 23A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Series | NTD6415ANL | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 56mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -20V, +20V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 20nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 83W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 6.22mm | |
| Height | 2.38mm | |
| Length | 6.73mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 23A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Series NTD6415ANL | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 56mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 20nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 83W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 6.22mm | ||
Height 2.38mm | ||
Length 6.73mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
N-Channel Power MOSFET, 100V to 1700V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi NTD6415ANL N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 NTD6415ANLT4G
- STMicroelectronics STripFET N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD15NF10T4
- Vishay SUD23N06-31 N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SUD23N06-31-GE3
- onsemi UniFET N-Channel MOSFET 400 V Enhancement, 3-Pin TO-3PN FDA24N40F
- onsemi QFET N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-3PN FQA24N60
- Infineon OptiMOS-TM5 Dual N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PG-TDSON-8-61 IAUCN10S5L280DATMA1
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF9540NSTRLPBF
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF9540NPBF