N-Channel MOSFET, 23 A, 40 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay SIR418DP-T1-GE3

RS Stock No.:: 814-1275
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIR418DP-T1-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

N-Channel MOSFET, 23 A, 40 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay SIR418DP-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ราคา / Price Each: (In a Pack of 10)**

THB37.215

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB39.82

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

สินค้าหมดชั่วคราว (Temporarily out of stock) - จะเป็นแบ๊คออเดอร์จัดส่ง (back order for despatch) 20/04/2025, จัดส่งภายใน (delivery within) 4-6 วันทำการ (working days)*

* วันที่จัดส่งอาจเปลี่ยนแปลงได้ตามจำนวนสินค้าที่คุณเลือกหรือที่อยู่จัดส่งของคุณ

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

Units	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค**
10 - 740	THB37.215	THB372.15
750 - 1490	THB36.285	THB362.85
1500 +	THB35.727	THB357.27

**ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 814-1275
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIR418DP-T1-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

คุณสมบัติ	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	23 A
Maximum Drain Source Voltage	40 V
Package Type	PowerPAK SO-8
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	8
Maximum Drain Source Resistance	6 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage	1.1V
Maximum Power Dissipation	39 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip	1
Length	6.25mm
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	50 nC @ 10 V
Width	5.26mm
Height	1.12mm
Minimum Operating Temperature	-55 °C

N-Channel MOSFET, 23 A, 40 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay SIR418DP-T1-GE3

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง