Vishay IRF710 Type N-Channel Power MOSFET, 1.2 A, 400 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB35.28

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB37.75

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 203 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 22 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
  • เพิ่มอีก 1,230 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 12THB35.28
13 - 24THB34.38
25 +THB33.86

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
543-0074
Distrelec หมายเลขบทความ:
171-15-165
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRF710PBF
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

1.2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

400V

Package Type

TO-220AB

Series

IRF710

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.6Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

17nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

36W

Forward Voltage Vf

1.6V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

10.41mm

Height

9.01mm

Width

4.7mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Vishay IRF710 Series Power MOSFET, 400V Maximum Drain Source Voltage, 1.2A Maximum Continuous Drain Current - IRF710PBF


This power MOSFET is a high-voltage N-channel enhancement device designed for switching and power-management roles in industrial and electronic systems. It operates over a wide temperature span and is packaged for through-hole mounting, offering a compact, serviceable option for boards and assemblies that require discrete transistor switching at elevated voltages.

Features and Benefits:


• 400V drain-source rating enables high-voltage switching applications • 3.6Ω Rds(on) reduces conduction losses in low-current circuits • 1.2A continuous drain current supports modest load currents • 17nC typical gate charge allows predictable switching control • 36W power dissipation handles intermittent thermal loading • 20V gate-source limit permits common gate-drive voltages

Applications


• Suitable for industrial relay and contactor driver stages • Ideal for high-voltage laboratory power supplies • Used for mains-side snubber and bleed resistor switching • Can be used for motor control in low-current ancillary circuits

What mounting style does it use and why is that useful?


It is a through-hole device in a TO-220AB package which simplifies heat-sinking and replacement on serviceable assemblies.

What ambient temperature range can it tolerate during operation?


The device is specified for operation from -55°C up to 150°C, allowing use in environments with wide thermal variation.

How does gate charge affect driver selection?


With a typical gate charge of 17nC, drivers must supply sufficient Peak current for desired switching speeds while managing gate-drive energy.

What is the maximum safe gate voltage to apply?


The maximum gate-source voltage is 20V, so gate-drive circuits should limit control voltages accordingly to avoid damage.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง