Vishay SQ N-Channel MOSFET, 7.8 A, 30 V Enhancement, 6-Pin TSOP-6 SQ3456CEV-T1_GE3
- RS Stock No.:
- 268-8352
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQ3456CEV-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (3000 ชิ้น, ในม้วนขนาด 3000)*
THB21,660.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB23,190.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 3,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB7.22 | THB21,660.00 |
| 6000 + | THB6.979 | THB20,937.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 268-8352
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQ3456CEV-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 7.8A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | TSOP-6 | |
| Series | SQ | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.054Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 0.8V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 10nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 4W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 3.05mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 7.8A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type TSOP-6 | ||
Series SQ | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.054Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 0.8V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 10nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 4W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 3.05mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The Vishay automotive N channel TrenchFET power MOSFET is lead Pb and halogen free device with single configuration MOSFET and surface mount type device. It is independent of operating temperature.
AEC Q101 qualified
ROHS compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SQ N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 6-Pin TSOP-6 SQ3456CEV-T1_GE3
- Vishay SQ N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 6-Pin TSOP-6 SQ3426CEV-T1_GE3
- Vishay SQ Rugged Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 6-Pin TSOP-6 SQ3419EV-T1_GE3
- Vishay SQ N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SQ2348CES-T1_GE3
- Vishay SQ Rugged N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin TSOP SQ3460EV-T1_GE3
- Vishay SQ P-Channel Single MOSFETs 30 V Enhancement Mode, 6-Pin TSOP-6 SQ3457CEV-T1_GE3
- Vishay SQ3583CEV N channel 4.7 A 6-Pin TSOP-6 SQ3583CEV-T1_GE3
- Vishay SQ N-Channel MOSFET 40 V N, 8-Pin PowerPAK SO-8L SQJ138EP-T1_NE3