Vishay SiR Type N-Channel MOSFET, 66.8 A, 80 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR5808DP-T1-RE3
- RS Stock No.:
- 279-9955
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIR5808DP-T1-RE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB65,886.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB70,497.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 6,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 + | THB21.962 | THB65,886.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 279-9955
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIR5808DP-T1-RE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 66.8A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Series | SiR | |
| Package Type | SO-8 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.00735Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 24nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 65.7W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 5.15mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 66.8A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Series SiR | ||
Package Type SO-8 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.00735Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 24nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 65.7W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 5.15mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay MOSFET is a N-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.
TrenchFET power MOSFET
Fully lead (Pb)-free device
Very low RDS x Qg figure of merit
100 percent Rg and UIS tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SiR Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR5808DP-T1-RE3
- Vishay SiR Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay SiR Type N-Channel MOSFET 80 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SiR588DP-T1-RE3
- Vishay SiR Type N-Channel MOSFET 80 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SiR584DP-T1-RE3
- Vishay SiR Type N-Channel MOSFET 80 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SiR582DP-T1-RE3
- Vishay SiR Type N-Channel MOSFET 80 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SiR586DP-T1-RE3
- Vishay SiR Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR5108DP-T1-RE3
- Vishay SiR Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR5110DP-T1-RE3