Vishay SiR N channel-Channel MOSFET, 100 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SiR638ADP

N
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB91.59

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB98.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 14 กันยายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 9THB91.59
10 - 24THB59.41
25 - 99THB31.19
100 - 499THB30.69
500 +THB29.70

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
735-146
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SiR638ADP
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

N channel

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

100A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

PowerPAK SO-8

Series

SiR

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.00088Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

104W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

110nC

Forward Voltage Vf

40V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

2mm

Length

7mm

Width

6mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The Vishay N-Channel MOSFET rated for 40V drain-source voltage, optimized for high power density DC/DC converters in AI server applications. It delivers ultra-low on-resistance of 0.88mΩ maximum at 10V gate drive for superior conduction efficiency in synchronous rectification circuits.

147S forward trans conductance

110nC total gate charge at 10V VGS

Qgd/Qgs ratio less than 1 for optimized switching

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง