Vishay SiR N channel-Channel MOSFET, 100 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SiR512DP

N
ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB115.46

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB123.54

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง

ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 9THB115.46
10 - 24THB75.15
25 - 99THB39.21
100 - 499THB38.66
500 +THB37.57

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
735-131
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SiR512DP
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

N channel

Maximum Continuous Drain Current Id

100A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

PowerPAK SO-8

Series

SiR

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0045Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

41nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Forward Voltage Vf

100V

Maximum Power Dissipation Pd

96.2W

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

2mm

Length

7mm

Standards/Approvals

RoHS

Width

6mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The Vishay N-Channel TrenchFET Gen V power MOSFET designed for efficient power management in AI server solutions and high-current applications. It delivers 100V drain-source voltage capability with a low on-resistance of 4.5 mΩ at 10V gate drive for minimal power loss.

00A continuous drain current at TC=25°C

96.2W power dissipation rating

-55°C to +150°C operating temperature range

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง