Vishay SIHF Type N-Channel MOSFET, 14 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SIHF074N65E-GE3
- RS Stock No.:
- 279-9907
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHF074N65E-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB272.04
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB291.08
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 999 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB272.04 |
| 10 - 24 | THB266.59 |
| 25 - 99 | THB261.14 |
| 100 + | THB256.15 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 279-9907
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHF074N65E-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 14A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Series | SIHF | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.079Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±30 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 39W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 8nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 10.1mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 14A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Series SIHF | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.079Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±30 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 39W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 8nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 10.1mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay MOSFET is a E series power MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.
4th generation E series technology
Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
Low effective capacitance
Avalanche energy rated
Reduced switching and conduction losses
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SIHF Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SIHF074N65E-GE3
- Vishay SIHF Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SIHF085N60EF-GE3
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SiHF080N60E-GE3
- onsemi FCB Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 FCB199N65S3
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IPW60R170CFD7XKSA1
- onsemi FCB Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247