Vishay SIHF Type N-Channel MOSFET, 14 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SIHF074N65E-GE3

RS Stock No.:: 279-9906
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHF074N65E-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay SIHF Type N-Channel MOSFET, 14 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SIHF074N65E-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*

THB8,551.15

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB9,149.75

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 950 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 24 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
50 - 50	THB171.023	THB8,551.15
100 +	THB152.022	THB7,601.10

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 279-9906
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHF074N65E-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	14A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Package Type	TO-220
	Series	SIHF
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.079Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	8nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	39W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	10.1mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 14A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Package Type TO-220
	Series SIHF
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.079Ω
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 8nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 39W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 10.1mm
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - SIHF074N65E-GE3

Vishay SIHF Series MOSFET, 650V Maximum Drain Source Voltage, 14A Maximum Continuous Drain Current - SIHF074N65E-GE3

This MOSFET is a high-voltage N-channel power transistor designed for through-hole mounting in power-management and switching environments. It operates across an extended temperature range and is intended for applications requiring substantial voltage handling and moderate current capacity while conforming to RoHS restrictions.

Features and Benefits:

• 650V drain rating enables high-voltage switching capabilities
• 14A continuous drain current supports sustained power delivery
• 0.079Ω Rds(on) reduces conduction losses during operation
• 39W power dissipation allows for elevated heat throughput
• 8nC typical gate charge ensures responsive switching behaviour
• 30V gate tolerance permits wide drive voltage margin

Applications

• Suitable for high-voltage switch-mode power supplies
• Ideal for industrial motor drive inverter stages
• Used with high-voltage DC-DC converter topologies
• Can be used for renewable energy power conversion
• Suitable for power factor correction front-end circuits

What thermal extremes can this device tolerate in operation?

It is rated to operate from -55°C up to 150°C allowing use in harsh thermal environments where wide temperature resilience is required.

Which mounting approach is required for installation?

The component utilises a through-hole TO-220 package intended for PCB mounting with a standard heatsinking option for improved thermal management.

How does the gate characteristic affect switching design?

A typical gate charge of 8nC at the specified gate drive level informs gate driver selection to balance switching speed against drive power consumption.

Are there limitations on gate drive voltage to avoid damage?

The device accepts gate-to-source voltages up to 30V, so designs must ensure drive circuits do not exceed this threshold.